પરંપરાગત Al2O3 અને BeO સબસ્ટ્રેટ સામગ્રીના વ્યાપક પ્રદર્શન ફાયદાઓ સાથે, એલ્યુમિનિયમ નાઇટ્રાઇડ(AlN) સિરામિક, જેમાં ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા (મોનોક્રિસ્ટલની સૈદ્ધાંતિક થર્મલ વાહકતા 275W/m▪k છે, પોલીક્રિસ્ટલની સૈદ્ધાંતિક થર્મલ વાહકતા 70~210W/m▪k છે), ઓછી ડાઇલેક્ટ્રિક સ્થિરાંક, સિંગલ ક્રિસ્ટલ સિલિકોન સાથે મેળ ખાતી થર્મલ વિસ્તરણ ગુણાંક અને સારા વિદ્યુત ઇન્સ્યુલેશન ગુણધર્મો છે, તે માઇક્રોઇલેક્ટ્રોનિક્સ ઉદ્યોગમાં સર્કિટ સબસ્ટ્રેટ અને પેકેજિંગ માટે એક આદર્શ સામગ્રી છે. સારા ઉચ્ચ તાપમાન યાંત્રિક ગુણધર્મો, થર્મલ ગુણધર્મો અને રાસાયણિક સ્થિરતાને કારણે તે ઉચ્ચ તાપમાન માળખાકીય સિરામિક ઘટકો માટે પણ એક મહત્વપૂર્ણ સામગ્રી છે.
AlN ની સૈદ્ધાંતિક ઘનતા 3.26g/cm3 છે, MOHS કઠિનતા 7-8 છે, ઓરડા-તાપમાન પ્રતિકારકતા 1016Ωm કરતા વધારે છે, અને થર્મલ વિસ્તરણ 3.5×10-6/℃ (રૂમનું તાપમાન 200℃) છે. શુદ્ધ AlN સિરામિક્સ રંગહીન અને પારદર્શક હોય છે, પરંતુ અશુદ્ધિઓને કારણે તે ગ્રે, ગ્રેશ વ્હાઇટ અથવા આછો પીળો જેવા વિવિધ રંગોના હશે.
ઉચ્ચ થર્મલ વાહકતા ઉપરાંત, AlN સિરામિક્સમાં નીચેના ફાયદા પણ છે:
1. સારું વિદ્યુત ઇન્સ્યુલેશન;
2. સિલિકોન મોનોક્રિસ્ટલ સાથે સમાન થર્મલ વિસ્તરણ ગુણાંક, Al2O3 અને BeO જેવી સામગ્રી કરતાં શ્રેષ્ઠ;
3. Al2O3 સિરામિક્સ સાથે ઉચ્ચ યાંત્રિક શક્તિ અને સમાન ફ્લેક્સરલ શક્તિ;
4. મધ્યમ ડાઇલેક્ટ્રિક સ્થિરાંક અને ડાઇલેક્ટ્રિક નુકશાન;
5. BeO ની તુલનામાં, AlN સિરામિક્સની થર્મલ વાહકતા તાપમાનથી ઓછી પ્રભાવિત થાય છે, ખાસ કરીને 200℃ થી ઉપર;
6. ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકાર અને કાટ પ્રતિકાર;
7. બિન-ઝેરી;
8. સેમિકન્ડક્ટર ઉદ્યોગ, રાસાયણિક ધાતુશાસ્ત્ર ઉદ્યોગ અને અન્ય ઔદ્યોગિક ક્ષેત્રોમાં લાગુ કરો.
પોસ્ટ સમય: જુલાઈ-૧૪-૨૦૨૩